NX5000

Двулучевой FIB-SEM прибор высокого разрешения позволяет решать разнообразные задачи лабораторной пробоподготовки. Основные преимущества:

• Высокое разрешение в режиме SEM
• Большая камера образца (подходит для работы с Si пластинами до 150 мм)
• Богатая система детектирования электронов, дающая комплексную информация об образце.
• Возможность установки Аргонового травления
• Высокая степень автоматизации процесса подготовки образца
• Идеален для высокоразрешающей SEM-EDX 3D реконструкции образцов

 

Major specifications
SEM	Источник электронов	Источник автоэлектронной эмиссии с холодным катодом
	Ускоряющее напряжение	0.1кВ～30кВ
	Разрешение	1.5 нм на 1 кВ, 0.7 нм на 15 кВ
	Максимальный ток пучка	10 nA
FIB	Ускоряющее напряжение	0.5кВ～30кВ
	Ионный источник	На основе жидкометаллического галлия
	SIM Разрешение	4нм на 30кВ 60 нм на 2 кВ
	Максимальный ток пучка	100 nA