Двулучевой FIB-SEM прибор высокого разрешения позволяет решать разнообразные задачи лабораторной пробоподготовки. Основные преимущества:
  • Высокое разрешение в режиме SEM
  • Большая камера образца (подходит для работы с Si пластинами до 150 мм)
  • Богатая система детектирования электронов, дающая комплексную информация об образце.
  • Возможность установки Аргонового травления
  • Высокая степень автоматизации процесса подготовки образца
  • Идеален для высокоразрешающей SEM-EDX 3D реконструкции образцов
 
Major specifications
SEM Источник электронов Источник автоэлектронной эмиссии с холодным катодом
Ускоряющее напряжение 0.1кВ~30кВ
Разрешение 1.5 нм на 1 кВ, 0.7 нм на 15 кВ
  Максимальный ток пучка 10 nA
FIB Ускоряющее напряжение 0.5кВ~30кВ
  Ионный источник На основе жидкометаллического галлия
SIM Разрешение 4нм на 30кВ 60 нм на 2 кВ
Максимальный ток пучка 100 nA
 

Для получения коммерческого предложения заполните форму